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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › SGD02N120
SGD02N120

SGD02N120 - Infineon Technologies

부품 번호
SGD02N120
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4490 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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SGD02N120 상세 설명

부품 번호 SGD02N120
부품 상태 Discontinued at Digi-Key
IGBT 형 NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 6.2A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 9.6A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
전력 - 최대 62W
스위칭 에너지 220µJ
입력 유형 Standard
게이트 차지 11nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 23ns/260ns
시험 조건 800V, 2A, 91 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 PG-TO252-3
무게 -
원산지 -

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