| 부품 번호 | IPP60R099C6XKSA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Not For New Designs |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 37.9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 119nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2660pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 278W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | 세부 |
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IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | 세부 |
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IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | 세부 |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | 세부 |
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IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | 세부 |
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IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | 세부 |
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IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | 세부 |
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IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | 세부 |
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IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | 세부 |
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IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | 세부 |
