| 부품 번호 | IPI100N06S3L-03 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 55V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 230µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 550nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 26240pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 300W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO262-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPI100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 | 세부 |
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IPI100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 | 세부 |
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IPI100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK | 세부 |
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IPI100N06S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | 세부 |
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IPI100N06S3L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | 세부 |
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IPI100N06S3L04XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | 세부 |
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IPI100N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 | 세부 |
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IPI100N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | 세부 |
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IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | 세부 |
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IPI100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 세부 |
