| 부품 번호 | IPDD60R080G7XTMA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 490µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1640pF @ 400V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 174W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-HDSOP-10-1 |
| 패키지 / 케이스 | 10-PowerSOP Module |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 | 세부 |
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IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 | 세부 |
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IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 | 세부 |
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IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 | 세부 |
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IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 | 세부 |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 | 세부 |
