| 부품 번호 | IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 50µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4310pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 100W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 50A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPC100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | 세부 |
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IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | 세부 |
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IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | 세부 |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | 세부 |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON | 세부 |
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IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | 세부 |
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | 세부 |
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | 세부 |
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON | 세부 |
