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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › IPB014N06NATMA1
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1 - Infineon Technologies

부품 번호
IPB014N06NATMA1
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
2500 pcs
참고 가격
USD 2.0328/pcs
우리의 가격
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에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1 상세 설명

부품 번호 IPB014N06NATMA1
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 143µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 106nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7800pF @ 30V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 100A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 PG-TO263-7
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
무게 -
원산지 -

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