| 부품 번호 | BSZ067N06LS3 G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta), 20A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 35µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5100pF @ 30V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TSDSON-8 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ065N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 세부 |
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BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ067N06LS3G | INFINEON | BSZ067N06LS3G INFINEON QFN New Original Stocks | 세부 |
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BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | 세부 |
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BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 세부 |
