| 부품 번호 | BSB013NE2LXI |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Ta), 163A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4400pF @ 12V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 30A, 10V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| 패키지 / 케이스 | 3-WDSON |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON | 세부 |
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BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | 세부 |
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BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | 세부 |
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BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON | 세부 |
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BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | 세부 |
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BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | 세부 |
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BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | 세부 |
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BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | 세부 |
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BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | 세부 |
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BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | 세부 |
