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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › BFR193L3E6327XTMA1
BFR193L3E6327XTMA1

BFR193L3E6327XTMA1 - Infineon Technologies

부품 번호
BFR193L3E6327XTMA1
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
1467080 pcs
참고 가격
USD 0.11223/pcs
우리의 가격
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BFR193L3E6327XTMA1 상세 설명

부품 번호 BFR193L3E6327XTMA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득 12.5dB ~ 19dB
전력 - 최대 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883
공급 업체 장치 패키지 PG-TSLP-3-1
무게 -
원산지 -

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