| 부품 번호 | BFR181E6327HTSA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 12V |
| 빈도 - 전환 | 8GHz |
| 잡음 지수 (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| 이득 | 18.5dB |
| 전력 - 최대 | 175mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 20mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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BFR1811P1 | ITT Cannon, LLC | CONN RCPT 5POS W/PINS BULKHEAD | 세부 |
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BFR181E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 | 세부 |
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BFR181P1 | ITT Cannon, LLC | CONN RCPT 10POS W/PINS BULKHEAD | 세부 |
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BFR181S1 | ITT Cannon, LLC | CONN RCPT 10POS W/SCKTS BULKHEAD | 세부 |
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BFR181T | VISHAY | Silicon NPN Planar RF Transistor | 세부 |
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BFR181TF | VISHAY | Silicon NPN Planar RF Transistor | 세부 |
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BFR181TW | VISHAY | Silicon NPN Planar RF Transistor | 세부 |
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BFR181WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323 | 세부 |
