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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › BFP193WH6327XTSA1
BFP193WH6327XTSA1

BFP193WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

부품 번호
BFP193WH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
TRANS RF NPN 12V 80MA SOT343
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
372736 pcs
참고 가격
USD 0.0718/pcs
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BFP193WH6327XTSA1 상세 설명

부품 번호 BFP193WH6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득 13.5dB ~ 20.5dB
전력 - 최대 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT343-4
무게 -
원산지 -

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