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GP2M002A060PG - Global Power Technologies Group

부품 번호: GP2M002A060PG
제조사: Global Power Technologies Group
간단한 설명: MOSFET N-CH 600V 2A
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: GP2M002A060PG PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: GP2M002A060PG.pdf
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 4309 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

GP2M002A060PG 상세 설명

부품 번호	GP2M002A060PG
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	360pF @ 25V
Vgs (최대)	±30V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	52.1W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	I-Pak
패키지 / 케이스	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
무게	-
원산지	-

관련 제품 GP2M002A060PG

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	GP2M002A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	세부
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	GP2M002A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A	세부
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	GP2M004A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	세부