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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › GP1M007A090H
GP1M007A090H

GP1M007A090H - Global Power Technologies Group

부품 번호
GP1M007A090H
제조사
Global Power Technologies Group
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
GP1M007A090H PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
GP1M007A090H.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3680 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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GP1M007A090H 상세 설명

부품 번호 GP1M007A090H
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1969pF @ 25V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 250W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
무게 -
원산지 -

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