| 부품 번호 | GD5F2GQ4UF9IGR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 형식 | FLASH |
| 과학 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 2Gb (256M x 8) |
| 클럭 주파수 | 120MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 700µs |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | SPI - Quad I/O |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-WLGA Exposed Pad |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-LGA (6x8) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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GD5F2GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 세부 |
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GD5F2GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 세부 |
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GD5F2GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 세부 |
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GD5F2GQ4UF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 세부 |
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GD5F2GQ4UFYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | 세부 |
