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GD25Q80CNIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

부품 번호: GD25Q80CNIGR
제조사: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
간단한 설명: NOR FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: GD25Q80CNIGR PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 메모리
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 484640 pcs
참고 가격: USD 0.37774/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

GD25Q80CNIGR 상세 설명

부품 번호	GD25Q80CNIGR
부품 상태	Active
메모리 유형	Non-Volatile
메모리 형식	FLASH
과학 기술	FLASH - NOR
메모리 크기	8Mb (1M x 8)
클럭 주파수	120MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	50µs, 2.4ms
액세스 시간	-
메모리 인터페이스	SPI - Quad I/O
전압 - 공급	2.7V ~ 3.6V
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지	8-USON (4x3)
무게	-
원산지	-

관련 제품 GD25Q80CNIGR

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	세부
	GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	세부
	GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	세부
	GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	세부
	GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	세부
	GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	세부
	GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	세부
	GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	세부
	GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	세부
	GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	세부