| 부품 번호 | 1N5829 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 20V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 25A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 580mV @ 25A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | - |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 2mA @ 20V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 실장 형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 공급 업체 장치 패키지 | DO-4 |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 세부 |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | 세부 |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 세부 |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 세부 |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 세부 |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 세부 |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 세부 |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | 세부 |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | 세부 |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | 세부 |
