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FCP110N65F - Fairchild/ON Semiconductor

부품 번호: FCP110N65F
제조사: Fairchild/ON Semiconductor
간단한 설명: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: FCP110N65F PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 1622 pcs
참고 가격: USD 6.73/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

FCP110N65F 상세 설명

부품 번호	FCP110N65F
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 3.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	145nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4895pF @ 100V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	357W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 17.5A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-220-3
패키지 / 케이스	TO-220-3
무게	-
원산지	-

관련 제품 FCP110N65F

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	FCP104N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 37A TO-220	세부
	FCP104N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220	세부
	FCP110N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 35A TO220	세부
	FCP11N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	세부
	FCP11N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	세부
	FCP11N60N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220	세부
	FCP11N60N-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F	세부
	FCP11N60N_F102	Fairchild/ON Semiconductor	FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI	세부
	FCP1206C123G	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206	세부
	FCP1206C123G-H1	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206	세부