| 부품 번호 | ZXGD3006E6TA |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, SiC MOSFET |
| 전압 - 공급 | 40V (Max) |
| 논리 전압 - VIL, VIH | - |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 10A, 10A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 48ns, 35ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-26 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 세부 |
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ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 세부 |
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ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 세부 |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 세부 |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 세부 |
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ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | 세부 |
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ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | 세부 |
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ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 세부 |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | 세부 |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | 세부 |
