| 부품 번호 | DMT10H009LSS-13 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Ta), 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2309pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 1.8W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SO |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | 세부 |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | 세부 |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | 세부 |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | 세부 |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | 세부 |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | 세부 |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | 세부 |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | 세부 |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | 세부 |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | 세부 |
