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DMN2005UFG-7 - Diodes Incorporated

부품 번호: DMN2005UFG-7
제조사: Diodes Incorporated
간단한 설명: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: DMN2005UFG-7 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 50000 pcs
참고 가격: USD 0.2567/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

DMN2005UFG-7 상세 설명

부품 번호	DMN2005UFG-7
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	18.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	164nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	6495pF @ 10V
Vgs (최대)	±12V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1.05W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PowerDI3333-8
패키지 / 케이스	8-PowerWDFN
무게	-
원산지	-

관련 제품 DMN2005UFG-7

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	세부
	DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	세부
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