DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 - Diodes Incorporated

부품 번호
DMG4800LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
37500 pcs
참고 가격
USD 0.2046/pcs
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DMG4800LSD-13 상세 설명

부품 번호 DMG4800LSD-13
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.56nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 798pF @ 10V
전력 - 최대 1.17W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SOP
무게 -
원산지 -

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