| 부품 번호 | CTLDM304P-M832DS TR |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 760pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 1.65W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 공급 업체 장치 패키지 | TLM832DS |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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CTLDM303N-M832DS BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET DUAL N-CHANNEL | 세부 |
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CTLDM303N-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS | 세부 |
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CTLDM304P-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS | 세부 |
