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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › 2SC3585-T1B-A
2SC3585-T1B-A

2SC3585-T1B-A - CEL

부품 번호
2SC3585-T1B-A
제조사
CEL
간단한 설명
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
2SC3585-T1B-A PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4368 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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2SC3585-T1B-A 상세 설명

부품 번호 2SC3585-T1B-A
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 10V
빈도 - 전환 10GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz
이득 9dB
전력 - 최대 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 6V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 35mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23
무게 -
원산지 -

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