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| 부품 번호 | VN10KN3-G-P014 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 310mA (Tj) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 1W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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VN10K-TO18 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 세부 |
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VN10KLS | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener Gate | 세부 |
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VN10KM | VISHAY | VN10KM VISHAY TO92 New Original Stocks | 세부 |
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VN10KN | EXSHINE | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs | 세부 |
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VN10KN3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | 세부 |
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VN10KN3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | 세부 |
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VN10KN3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | 세부 |
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VN10KN3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | 세부 |
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VN10KN3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | 세부 |
