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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › TN2106N3-G
TN2106N3-G

TN2106N3-G - Microchip Technology

부품 번호
TN2106N3-G
제조사
Microchip Technology
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
2117 pcs
참고 가격
USD 0.52/pcs
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TN2106N3-G 상세 설명

부품 번호 TN2106N3-G
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 740mW (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 500mA, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-92-3
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
무게 -
원산지 -

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