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AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN - Alliance Memory, Inc.

부품 번호: AS4C16M32MS-6BIN
제조사: Alliance Memory, Inc.
간단한 설명: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: AS4C16M32MS-6BIN PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 메모리
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 29740 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

AS4C16M32MS-6BIN 상세 설명

부품 번호	AS4C16M32MS-6BIN
부품 상태	Discontinued at Digi-Key
메모리 유형	Volatile
메모리 형식	DRAM
과학 기술	SDRAM - Mobile SDRAM
메모리 크기	512Mb (16M x 32)
클럭 주파수	166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	15ns
액세스 시간	5.4ns
메모리 인터페이스	Parallel
전압 - 공급	1.7V ~ 1.95V
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	90-VFBGA
공급 업체 장치 패키지	90-FBGA (8x13)
무게	-
원산지	-

관련 제품 AS4C16M32MS-6BIN

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	AS4C16M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA	세부
	AS4C16M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA	세부
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	AS4C16M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C16M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C16M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C16M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C16M16D1A-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부
	AS4C16M16D1A-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP	세부