| 品番 | W947D2HBJX6E |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPDDR |
| メモリー容量 | 128Mb (4M x 32) |
| クロック周波数 | 166MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 5ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 90-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 90-VFBGA (8x13) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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W947D2HBJX5E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D2HBJX5E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D2HBJX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D2HBJX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D2HBJX6E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D2HBJX6E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | 詳細 |
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W947D6HBHX5E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 詳細 |
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W947D6HBHX5E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 詳細 |
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W947D6HBHX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 詳細 |
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W947D6HBHX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 詳細 |
