日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

SUP80090E-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SUP80090E-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SUP80090E-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3487 pcs
参考価格: USD 3.21/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SUP80090E-GE3 詳細な説明

品番	SUP80090E-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	150V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	128A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	7.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	95nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3425pF @ 75V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	375W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9.4 mOhm @ 30A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

関連製品 SUP80090E-GE3