| 品番 | SUP53P06-20-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Ta), 53A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 115nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SUP53P06-20 | VISHAY | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | 詳細 |
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SUP53P06-20-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB | 詳細 |
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SUP53P06-20-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB | 詳細 |
