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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SUD50N02-09P-GE3
SUD50N02-09P-GE3

SUD50N02-09P-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SUD50N02-09P-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SUD50N02-09P-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
SUD50N02-09P-GE3.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4380 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SUD50N02-09P-GE3 詳細な説明

品番 SUD50N02-09P-GE3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 16nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300pF @ 10V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 39.5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 14 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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