| 品番 | SQJQ900E-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 120nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5900pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 135W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | 詳細 |
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