品番 | SQJ444EP-T1_GE3 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 80nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5000pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 68W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
重量 | - |
原産国 | - |