SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番
SQJ444EP-T1_GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
49011 pcs
参考価格
USD 0.5359/pcs
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SQJ444EP-T1_GE3 詳細な説明

品番 SQJ444EP-T1_GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 80nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 68W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.2 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
重量 -
原産国 -

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