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SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3 - Vishay Siliconix

品番: SQD100N04-3M6_GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SQD100N04-3M6_GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 211190 pcs
参考価格: USD 0.77963/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SQD100N04-3M6_GE3 詳細な説明

品番	SQD100N04-3M6_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	105nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	6700pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	136W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252AA
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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