SQ4064EY-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQ4064EY-T1_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	19.8 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	43nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2096pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	6.8W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-