SQ4005EY-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQ4005EY-T1_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3600pF @ 6V
FET機能	-
消費電力（最大）	6W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-