| 品番 | SQ2361AEES-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 | 詳細 |
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SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 | 詳細 |
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