SQ1464EEH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQ1464EEH-T1_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	440mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	140pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	430mW (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SC-70-6
パッケージ/ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
重量	-
原産国	-