日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SIS478DN-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SIS478DN-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 107657 pcs
参考価格: USD 0.2393/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SIS478DN-T1-GE3 詳細な説明

品番	SIS478DN-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	10.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	398pF @ 15V
Vgs（最大）	±25V
FET機能	-
消費電力（最大）	3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	20 mOhm @ 8A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® 1212-8
重量	-
原産国	-

関連製品 SIS478DN-T1-GE3

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SIS472ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212	詳細
	SIS472DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8	詳細
	SIS476DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR	詳細
	SIS478DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8	詳細