| 品番 | SIS414DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 33nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 795pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.4W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16 mOhm @ 10A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SIS4101PT1G | SIG | SIS4101PT1G SIG SOT23 New Original Stocks | 詳細 |
|
SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 | 詳細 |
|
SIS412DN-T1-E3 | VISHAY | SIS412DN-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | 詳細 |
|
SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK | 詳細 |
|
SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 | 詳細 |
|
SIS414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK | 詳細 |
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | 詳細 |
