| 品番 | SIRC18DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.1 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 111nC @ 10V |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5060pF @ 15V |
| FET機能 | Schottky Diode (Body) |
| 消費電力（最大） | 54.3W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIRC10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO-8 | 詳細 |
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SIRC16DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A SO8 | 詳細 |
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SIRC18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 | 詳細 |
