| 品番 | SIR610DP-T1-RE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35.4A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 7.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1380pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 31.9 mOhm @ 10A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8 | 詳細 |
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SIR616DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8 | 詳細 |
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SIR618DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 14.2A SO8 | 詳細 |
