SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SIR172DP-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
84971 pcs
参考価格
USD 0.3031/pcs
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SIR172DP-T1-GE3 詳細な説明

品番 SIR172DP-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 997pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.9 mOhm @ 16.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
重量 -
原産国 -

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