SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SIHU6N80E-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
64065 pcs
参考価格
USD 2.57/pcs
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SIHU6N80E-GE3 詳細な説明

品番 SIHU6N80E-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 940 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 44nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 827pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
重量 -
原産国 -

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