SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SIHP35N60E-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2500 pcs
参考価格
USD 6.34/pcs
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SIHP35N60E-GE3 詳細な説明

品番 SIHP35N60E-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 32A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 132nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2760pF @ 100V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 94 mOhm @ 17A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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