| 品番 | SIHJ6N65E-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 596pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 74W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 868 mOhm @ 3A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIHJ6N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L | 詳細 |
