| 品番 | SIHG22N50D-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 98nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1938pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 312W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 230 mOhm @ 11A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHG20N50C | VISHAY | SIHG20N50C VISHAY TO-247 New Original Stocks | 詳細 |
|
SIHG20N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 | 詳細 |
|
SIHG20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC | 詳細 |
|
SIHG21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | 詳細 |
|
SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC | 詳細 |
|
SIHG22N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | 詳細 |
|
SIHG22N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | 詳細 |
|
SIHG22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC | 詳細 |
|
SIHG22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | 詳細 |
|
SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | 詳細 |
