品番 | SIHG065N60E-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 65 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±30V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2700pF @ 100V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 250W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
重量 | - |
原産国 | - |