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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SIHFB20N50K-E3
SIHFB20N50K-E3

SIHFB20N50K-E3 - Vishay Siliconix

品番
SIHFB20N50K-E3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SIHFB20N50K-E3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
23520 pcs
参考価格
USD 7/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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SIHFB20N50K-E3 詳細な説明

品番 SIHFB20N50K-E3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 250 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 110nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2870pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 280W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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