| 品番 | SIHB100N60E-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1851pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 208W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIHB100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2 | 詳細 |
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SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | 詳細 |
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SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | 詳細 |
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SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | 詳細 |
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