| 品番 | SIA850DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 190V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 950mA (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 90pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±16V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SIA850DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 | 詳細 |
